有關二極體的討論,下列敘述何者錯誤?
新北市市立淡水商工・103學年 定期評量・第 4245 題・由 Siao 提供
解答
答案
在空乏區的 N 型半導體側為正電性
- A在空乏區的 N 型半導體側為正電性正解
- B在空乏區的障壁電壓與摻雜量有關
- CP 型半導體的摻雜物質稱為施體
- DP 型半導體的主要載子為電洞
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