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高中其他第 260 / 4013 題

有關場效應電晶體 FET 的特性,下列敘述何者正確?

新北市市立淡水商工・106學年 定期評量・第 260 題・由 Siao 提供

解答

答案

當空乏型 N 通道 MOSFET 的 V > 0 時,導電通道變寬,電阻變小 GS GS

  • A當增強型 N 通道 MOSFET 的 V = 0 時,電晶體能導通
  • B當空乏型 P 通道 MOSFET 的 V = 0 時,產生的電流最大 GS
  • C當 P 通道 JFET 的 V = 0 時,電晶體不導通 GS
  • D當空乏型 N 通道 MOSFET 的 V > 0 時,導電通道變寬,電阻變小 GS GS正解

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