有關金氧半場效電晶體 MOSFET 之敘述,下列何者正確?
新北市市立淡水商工・107學年 定期評量・第 1911 題・由 Siao 提供
解答
答案
P 型基體的增強型 MOSFET,閘-源極電壓( V )必需為正電壓才有可能感應通道 GS D DSS
- A空乏型 MOSFET 的物理結構,沒有預設通道
- BP 通道空乏型 MOSFET 之 V 值為正時, I > I
- CP 型基體的增強型 MOSFET,閘-源極電壓( V )必需為正電壓才有可能感應通道 GS D DSS正解
- DN 通道增強型 MOSFET 當 V < V 時,汲源極間導通 GS GS T
只收錄到一次,沒有別的答案可以比對
本頁的解題說明由 我去不早說(apps.siao.ai)整理
其他答案
這一題只收錄到一次,所以沒有別的答案可以比對。
留言
還沒有人留言。登入後就能補上答案或指出錯誤。