當 P 型與 N 型半導體結合時,下列敘述何者正確?
新北市市立淡水商工・106學年 定期評量・第 3782 題・由 Siao 提供
解答
答案
障壁電位的極性為 P 側高於 N 側
- A二極體空乏區內的正、負離子是形成障壁電位的主要原因
- B障壁電位的極性為 P 側高於 N 側正解
- C在空乏區內存在有磁場
- D整塊 N 型區域帶負電
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