如圖(十四)所示為增強型 PMOS 電晶體, I = 0.5 mA , V = 3 V , k = 0.5 mA/V ,臨界電壓 V = −1 V ,則設計電晶體操作於飽和區 D D 2 時, R 、 R 、 R 之合理值為何? t
新北市市立淡水商工・104學年 定期評量・第 2470 題・由 Siao 提供
解答
答案
1 MΩ、4 MΩ、6 kΩ
- A1 MΩ、4 MΩ、10 kΩ G1 G2 D
- B1 MΩ、4 MΩ、6 kΩ正解
- C2 MΩ、3 MΩ、10 kΩ
- D2 MΩ、3 MΩ、6 kΩ 圖(十四)
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