N通道增強型 FET 中,下列何者條件可使電晶體操作於飽和區?( V 為臨界電壓) ,V ≤ V t
新北市市立淡水商工・104學年 定期評量・第 2471 題・由 Siao 提供
解答
答案
VGS > Vt GD t
- AVGS < Vt ,V ≤ V GD t
- BVGS > Vt ,V > V GD t
- CVGS < Vt ,V > V GD t
- DVGS > Vt GD t正解
只收錄到一次，沒有別的答案可以比對
本頁的解題說明由 我去不早說（apps.siao.ai）整理
其他答案
這一題只收錄到一次，所以沒有別的答案可以比對。
留言
還沒有人留言。登入後就能補上答案或指出錯誤。