我去不早說

分類

高中・其他 解答

共 30,030 題

高中其他

1.2

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

如圖(十四)所示,假設 JFET 之 I = 2.4 mA , V DSS GS(OFF) =6V ,且電 流 I = 0.6 mA ,試求電壓增益 VV 約為多少? D o i

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數9
高中其他

−16 圖(十三)

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

如圖(十三)所示,假設 FET 之 I = 12 mA , V DSS GS(OFF) = −6 V ,且 r d 忽略不計,試求電壓增益 VV 約為多少? o i

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數8
高中其他

12 mA

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

某 P 通道空乏型 MOSFET,假設 V 為 4 V, I 為 12 mA,試求 V = 2 V 時,電流 I 為多少? P DSS GS

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數8
高中其他

帕格尼尼

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

下列何者對 MOSFET 的說法最正確? 《帕格尼尼》:空乏型 MOSFET 不可操作在增強模式 《孟德爾頌》:空乏型 MOSFET 的 V = 0 時,汲極電流為最大值 《史特勞斯》:增強型 MOSFET 可操作在空乏模式 GS 《丹尼索夫》:增強型 MOSFET 的 V = 0 時,汲極電流為 0

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數9
高中其他

C 層 圖(十二)

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

如圖(十二)所示,假設為矽場效電晶體元件的 剖面結構,各層使用不同材料,且圖中僅標示 某假想製程厚度,此電晶體的臨界電壓絕對值 為 | V | = 0.5 V , V = 2 V , V = −2 V , V = 2 V , V = −2 V ,試問由此結構剖面判 th D1 D2 斷此電晶體的閘極氧化層是哪一層? D

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數9
高中其他

60000 圖(十一)

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

如圖 ( 十一 ) 所示,假設電晶體 β = 99 ,熱電壓 V 為 T 25 mV, V = 0.7 V ,試求電壓增益 約為多少? V o BE V i

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數9
高中其他

變壓器耦合串級放大電路之功率轉移效率低

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

有關串級放大電路之敘述,下列何者正確?

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數9
高中其他

IC2 = 2 1 R1 + (1 + β1 ) · (1 + β2 )R 2 圖(十)

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

如圖(十)所示,假設電晶體 Q 與 Q 之特性參數各自為 V 、 β 及 V 、 β ,試問下列何者正確? 1 2 BE1 1 BE 2 2 β2 · (VCC − VBE1 − VBE 2 )

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數8
高中其他

0.63

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

如圖(九)所示,假設電晶體 β = 99 , V = 0.7 V ,熱電壓 V 為 25 mV, BE T 試求將電晶體用小信號模型代入後之交流電壓增益 VV 約為多少? o i

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數8
高中其他

−240

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

如圖(八)所示,假設 BJT 之 β = 79 ,基極交流阻抗 r = 1 kΩ ,試求 π 電壓增益 VV 約為多少?o i

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數9
高中其他

240

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

如圖( 七) 所示,假設 BJT 之 β = 49 , V = 0.7 V , EB V = 25 mV ,試求電壓增益 約為多少? V o T V i

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數8
高中其他

1.25 mA

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

如圖(六)所示,假設 BJT 之 β = 99 ,切入電壓 V = 0.7 V ,試求 集極電流 I 約為多少? BE

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數9
高中其他

8

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

如圖(五)所示,假設電阻 R = 3.6 kΩ , V = 0.5 V , V = 5 V ,試求電晶體 β = ? BE

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數8
高中其他

電晶體三種組態放大電路中,以共射極 CE 組態的功率增益最高

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

有關 BJT 電晶體之敘述,下列何者錯誤?

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數9
高中其他

舒伯特

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

有關電晶體 BJT 操作在不同模式下,下列哪一位同學對於電晶體三端 E、B、C 電壓大小關係之說法最 正確? 《貝多芬》:PNP 型電晶體,工作在順向主動區,電壓大小關係為 V > V > V 《莫札特》:NPN 型電晶體,工作在逆向主動區,電壓大小關係為 V > V > V C B E 《舒伯特》:NPN 型電晶體,工作在飽和區,電壓大小關係為 V > V > V E C B 《華格納》:PNP 型電晶體,工作在截止區,電壓大小關係為 V > V > V B C

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數9
高中其他

韓德爾

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

如圖(四)所示,假設 D 為理想二極體,若經 4 位同學實驗量測計算 後如下:SW 閉合前 V = a 伏特、 V = b 伏特;SW 閉合後 V o(rms) o(av) o 之 V = c 伏特及漣波因數為 r%。試問下列哪一位同學撰寫的 r (p − p) a、b、c、r 數值最正確? 《韓德爾》: a = 10 , b = 9 《韋瓦第》: b = 9 , c = 1.88 《李斯特》: c = 2.83 , r = 1.92 《白遼士》: r = 0.96 , a = 10 圖(四)

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數8
高中其他

c + d = 50 圖(三)

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

如圖(三)所示,假設輸入為 20sin377t 弦波信號、 D ~D 為理想 二極體且在穩定狀態下電容器 C 所跨電壓為 V = 20 V 、電容 1 3 器 C 所跨電壓為 a 伏特、 C 所跨電壓為 b 伏特、二極體 D 的逆 2 C2 向耐壓 PIV 為 c 伏特、二極體 D 的逆向耐壓 PIV 為 d 伏特、二 1 3 1 極體 D 的逆向耐壓 PIV 為 e 伏特,試問下列何者正確? 2 3

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數9
高中其他

12

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

如圖(二)所示,假設輸入弦波信號為 a · sin 377t 伏特, V 為 b 伏特且測得電 容器所跨電壓為 8 V,若輸出信號 v (t) 的最小值為 −18 V 時,試求 a + b = ? R o

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數9
高中其他

200 mW

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

如圖(一)所示,假設稽納二極體之 V = 10 V ,試問稽納二極體之額定功率 為多少? Z

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數9
高中其他

16 nA

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

若有一矽二極體在逆向偏壓且在溫度為 25°C 時,逆向飽和電流 I = 2 nA ,試問當環境溫度升高到 55°C 時,則此時的逆向飽和電流為多少? o

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數11
高中其他

視覺傳達設計

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

在設計的六大領域中, 「展示設計」是屬於:

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數11
高中其他

SP 主要負責商品的促銷活動

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

一般廣告公司常見的職務簡稱有 AD、AE、CW、SP 等,下列敘述何者不正確?

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數9
高中其他

電子、連結、消費電子

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

在新產品開發設計中常會見到的 3C 產品,是指下列何者?

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數11
高中其他

臺灣史前博物館-臺東

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

我國近年來努力推展地方文化活動,使各地方都有獨特的文化特色,下列在地文化特色何者配對錯誤?

新北市市立淡水商工 · 107學年獲得讚數0留言數0瀏覽數9