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高中其他

切削加工的生產速度較快

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Q

切削加工相較於無屑加工,下列何者正確?

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高中其他

環規的不通過端尺度較通過端大

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Q

有關環規與塞規之敘述,下列何者不正確?

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高中其他

僅對表面形成氮化層,表面殘留壓縮應力可增加抗疲勞性

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Q

有關表面硬化法中的氮化法之敘述,下列何者不正確?

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高中其他

電子束銲接在高壓環境中,以電子流高速撞擊工件,達成銲接效果

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Q

有關特殊銲接之敘述,下列何者正確?

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高中其他

軟銲銲料熔點常在 430°C 以下

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Q

有關軟銲與硬銲之敘述,下列何者不正確?

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高中其他

端壓鍛造加工法適合砲彈殼的大量生產

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Q

有關各種加工法之敘述,下列何者不正確?

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高中其他

加工過程施加於工件的力量較小

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Q

若與熱作加工法比較,下列何者不是冷作加工的優點?

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高中其他

模砂含水量約 2%~8%,若含水量愈高,澆鑄時愈易形成氣孔

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Q

有關模砂之敘述,下列何者不正確?

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巨觀偏析造成的鑄件表面高熔點元素較多的現象,使用熱作加工法可有效改善

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Q

有關鑄件鑄造過程中的各種敘述,下列何者不正確?

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共析鋼之含碳量為 0.6%

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Q

有關鋼鐵材料之敘述,下列何者正確?

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陶瓷刀具以氧化鋁為主要成分,硬度高、脆性大,刀口斜角通常取正 5~7 度

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Q

有關刀具材料之敘述,下列何者不正確?

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2.5 kΩ 圖(三十五)

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Q

如圖(三十五)所示之電路,假設 V = −1 V , V = 5 V , I = 7 mA ,試求 R 值約為多少? GS DS D

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2.5 kΩ

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Q

如圖(三十四)所示之電路,假設 K = 0.4 mA/V ,臨界電壓 V = 2 V , 2 V = 1 V ,試求 R 約為多少? th D S

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8 V

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Q

如圖(三十三)所示之電路,假設空乏型 N 通道 MOSFET 內部參數 I = 16 mA , V = −4 V ,試求汲極電壓 V 為多少? DSS P

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以擴散技術在基板表面形成

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Q

增強型 MOSFET 的導通通道如何形成?

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反主動區

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Q

若 N 通道 E-MOSFET 之臨界電壓 V = 1 V ,汲極電壓為 4.2 V,源極電壓為 3.5 V,閘極電壓為 5.5 V, 則其工作模式為何? t

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60 dB

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Q

如圖(三十二)所示之電路,若各級之電壓增益 分別為 10、20、25,而各級之電流增益分別為 圖(三十二) 10、4、5,則系統的總分貝功率增益為何?

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IC2 = 2 R 1 + (1 + β1 ) · (1 + β2 )R 2 圖(三十一) IE 2

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Q

如圖(三十一)所示為達靈頓電路,若電晶體 Q 與 Q 之特性 參數各自為 V 、 β 及 V 、 β ,則下列何者錯誤? 1 2 BE1 1 BE 2 2 VCC − VBE1 − VBE 2

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電阻耦合

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Q

下列何種串級放大電路之阻抗最容易匹配?

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8.9 Ω

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Q

如圖(三十)所示之電路,假設電晶體 β = 99 , V = 0.7 V ,熱電 壓 V = 25 mV ,試求輸出阻抗 R 約為多少? BE T o

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增加 R 則增益減低 S B S 圖(二十九)

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Q

如圖(二十九)所示之電路,假設電晶體操作於順向主動區, 則對於小訊號電壓增益 VV 敘述,下列何者錯誤? o

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37 kΩ

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Q

如圖(二十八)所示之電路,假設電晶體參數 β 為 100,則此放 大器的輸入阻抗 Z 約為多少? i

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−200

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Q

如圖(二十七)所示之電路,假設 BJT 之 β = 100 ,基極交流 等效電阻 r = 2 kΩ ,則交流電壓增益 VV 約為何? π o i

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151 kΩ

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Q

如圖(二十六)所示之電路,假設 BJT 之 β = 100,V = 0.7 V,V = 4 V, 若 I = 3 mA ,則 R 值約為何? BE CE C

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