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165 V

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Q

將規格 20 W/100 V、50 W/100 V、80 W/100 V 的三個燈泡,當三者串聯,所能外加的最大電壓為若干, 才不會燒毀任何燈泡?

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250 W

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Q

一個效率為 75%的馬達,其工作電壓為 100 伏特,工作電流為 10 A,輸出功率為多少瓦特?

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負功

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Q

一個正電荷由高電位移向低電位需作:

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考畢子震盪器

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Q

如圖(十八)所示之電路為何?

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−11 A

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Q

如圖(十七)所示之電路,若運算放大器具理想特性且 V = 10V , 試求電流源 I 為何? o 1

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V = 20 V ; V = 12 V

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Q

如圖(十六)所示之電路,若運算放大器具理想特性,則下列 敘述何者正確?

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3

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Q

如圖(十五)所示之電路,若運算放大器具理想特性,試求電 壓增益 A = VV 為何?V o i

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共模互斥比(CMRR) 為 

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Q

下列何者不是理想運算放大器的特性?

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g m = −2 mS

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Q

如圖(十四)所示之電路,若 I = 16 mA ,| V | = 4 V , V = −3 V , 則下列敘述何者正確? DSS P GS

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4 V

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Q

如圖(十三) 所示之電路,若 MOSFET 的臨界電壓 V = 1 V ,且飽和區電流 I = K · (V − V ) ,其中 K = 1 mA/V ,則當 V = 5 V 、R = 3 kΩ,電壓 V T 2 2 為多少? D GS T DD D DS

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40dB

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Q

如圖(十一)所示之電路,若 V = 2V ,則電壓增益 分貝數為何? V o i V i

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電阻電容耦合

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Q

對於多級放大耦合電路,下列何種耦合電路具有良好的低頻響應?

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若開關 S 打開, S 閉合則輸出電壓 V 的範圍為 1 2 o −2.6 V ~ +2.6 V

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Q

如圖(十)所示之電路,若電晶體的切入電壓 V = 0.7 V , = 0.2V ,熱電壓 V = 25 mV ,則下列敘述何者錯誤? BE V CE(sat ) T

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250

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Q

如圖(九)所示之電路,若電晶體的切入電壓 V = −0.7 V , V = 0.2 V , EC(sat) = 0.5 V ,若 β →  且熱電壓 V = 25 mV ,則該電晶體放大電路的電 BE V CB(sat) T 壓增益 A = VV 為何? V o i

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VCC = 10 V

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Q

如圖(八-a)所示為集極回授偏壓法,圖(八-b)為該 電路之直流負載線,若 V = 0.7 V 、 β = 100 、 且射極電阻端電壓為 4 V,則下列敘述何者正 BE 確?

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VBE > 0 VBC < 0

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Q

如圖(七)所示之電晶體電路,若 I ·β > I ,則下列敘述何者正確?

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38.6 μA、1.98 mA B C

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Q

如圖(六)所示之電路,若電晶體的 V = 0.7 V , V = 0.2 V ,試求 BE CE(sat ) 電流 I 及 I 為多少?

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0 W

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Q

如圖(四-a)所示為稽納二極體(Zener)電路,圖(四-b)為稽納二極體(Zener)的特性曲線,試求稽納二極體消 耗多少瓦特? 圖(四-a) 圖(四-b)

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6 V

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Q

如圖(三)所示之電路,若二極體為理想且輸入 電壓 V = ±10 V,工作週期為 20%之連續性方 波,若直流伏特表指示 4 V,則直流偏壓 E 為 i 多少伏特?

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電源電壓的相位角 θ 越小則二極體的最大逆向峰值電壓(PIV) 越大

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Q

如圖(二)所示之電路,若所有元件均具理想特性,則下列敘述何者正確?

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電源電壓 E 太大 L

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Q

如圖(一)所示之電路,以理想直流電壓表測量負載電阻 R 的端電壓 L V = E· L R R+R ,則下列何者為較可能之原因?(若二極體的切入電 L L 壓皆相同且內阻為 0 Ω)

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二極體內部空乏區的電場方向為 N 側指向 P 側

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Q

有關半導體以及二極體的敘述,下列何者正確?

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○○○○ 2 1 4 3

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Q

下列電子元件若依照電腦發展的演進過程,其正確順序為: ○電晶體 ○真空管 ○VLSI ○ULSI 1 2 3 4

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0.75 cm

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Q

某物質經過 40 cm 長的層析管柱,所得圖譜中的波峰底寬為 7 秒,滯留時間為 35 秒,則其理論板高為 多少?

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