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6 V 圖(十四) 第二部分:基本電學

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

如圖(十四)所示之電路,假設 MOSFET 的 V = 1 V , K = 0.125 mA/V , 2 試求電壓 V 約為多少? th DS

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3.5 V

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

某 n 通道增強型 MOSFET,假設其臨界電壓 V = 3 V ,閘極電壓 V = 4 V ,且源極接地,則當汲極的 電壓為多少時,可讓此元件工作在歐姆區? th G

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5 kΩ

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

如圖(十三)所示之電路,假設 N-MOSFET M1 的 V = 2 V 、 K = 0.4 mA/V 、 2 V = 1 V ,試求 R 約為多少? th D S

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8 mA

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

某 n 通道 JFET,假設其參數 V 為 −4 V , I 為 12 mA,試求當 V = −2 V 時,汲極電流 I 為多少? P DSS GS

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增強型 N-MOSFET 之臨界電壓為正值

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

有關 MOSFET 元件的敘述,下列何者錯誤?

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7.7 V

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Q

如圖(十二)所示之串級放大電路,假設兩個 BJT 之 β = 99 , V = 0.7 V ,則電壓 V 約為多少? BE C2

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第三級輸出電壓 V 為 100 V 3

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Q

如圖(十一)所示之電路,假設輸入電壓 V 為 1 μV,則下列敘述何者錯誤?

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相同高頻響應之電晶體放大器,如果串接成兩級,其高頻截止頻率約為單級的 2 −1 倍

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Q

有關串級放大電路的敘述,下列何者錯誤?

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154.2

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Q

如圖(十)所示之電路,假設 BJT 之 β = 120 ,射極交流電阻 r = 10 Ω ,試求電壓增益 約為何? V o e V i

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800 Ω

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Q

如圖(九)所示之電路,假設 BJT 之 β = 99 , V = 0.7 V , V = 25 mV ,試求輸出阻抗 R 約為多少? BE T o

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240

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Q

如圖(八)所示之電路,假設 BJT 之 β = 39 , V = 0.7 V , BE V = 25 mV ,試求電壓增益 約為多少? V o T V i

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−160

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Q

如圖(七)所示之電路,假設 BJT 之 β = 100 ,基極交流阻抗 r = 2 kΩ ,試求電壓增益 約為何? V o π V i

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96 μA

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Q

如圖(六)所示之電路,若電晶體之 β = 99 , V = 0.7 V ,則此電 路靜態工作點的基極電流 I 約為多少? BE

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820 kΩ

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Q

如圖(五)所示之電路,假設 BJT 之 β = 100 , V = 0.7 V ,若欲設計此偏壓電 路之 V = 8 V ,試求電阻 R 約為何? BE

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逆向主動區(reverse-active region)

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Q

假設 BJT 之 β = 100 ,基極電流為 0.45 mA,集極電流為 30 mA,則此 BJT 工作模式為何?

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VC > VB > VE

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Q

假設 NPN 型 BJT 工作於主動區,則此 BJT 之射極、基極及集極三端電壓大小關係為何?

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NPN 電晶體之多數載子為電子

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Q

有關雙極性接面電晶體(BJT)的敘述,下列何者錯誤?

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34.2 V 圖(四)

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Q

如圖(四)所示之電路,假設 L 與 L 的匝數相同, D 與 D 為理想二極體,試求輸出 V 之平均電壓約為多少? 1 2 1 2 o

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2 圖(三)

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Q

如圖(三)所示之電路,假設 I = 8 mA , V = −4 V , r =  , DSS P d 試求電壓增益 VV 約為多少? o i

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5π V

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Q

如圖(二)所示之電路,假設 V (t ) = 120sin(240t) V , R = 20 kΩ , C = 10 μF ,且 D 為理想二極體,則此 電路之輸出漣波電壓峰對峰值大小約為多少伏特? i

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15 mA

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Q

如圖(一)所示之電路,稽納 Zener 二極體之參考電壓為 50 V,其電流為 5 mA 至 40 mA 範圍,試求負載 電流 I 值最大可為多少? L

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外質半導體是透過摻雜所形成的半導體

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Q

有關半導體的敘述,下列何者錯誤?

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順向偏壓小於矽二極體

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Q

有關發光二極體 LED 的敘述,下列何者錯誤?

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−5 A 圖(二十) 【

只收錄到一次,沒有別的答案可以比對

Q

如圖(二十)所示若各元件均具理想特性,開關 S 閉合很久之後,在 t = 0 時將開關 S 打開,試求 I (0 ) 為 + 多少安培?

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