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−1.625 V

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Q

如圖(三十)所示 D/A 電路,假設運算放大器為理想,若輸入電壓信號( V 、 V 、 V 、 V )值只有 0 V 或 1 V 這兩種狀態,則輸出電壓的最大值為何? 3 2 1 0 圖(三十)

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−9

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Q

如圖(二十七)所示電路,設電晶體參數 K = 12 ( C )( WL ) = 0.24 mA /V , n ox 2 V = 3 V , r = 50 kΩ 。已知 V = 6.4 V , I = 2.75 mA ,試求電壓增益 t o GSQ DQ V V 大約為何? o i

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−320 mV 圖(二十六)

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Q

如圖(二十六)所示電路,設電晶體參數 V = −4 V , I = 10 mA 。已知 V = −2.2 V , I = 2.03 mA ,試求輸出電壓 V 的值大約為何? P DSS GSQ DQ o

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輸出端加入負載電阻時,對交流電壓增益沒有影響

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Q

有關共源極放大器之敘述,下列何者正確? 圖(二十五)

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VD2 = 4 V

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Q

如圖(二十五)所示電路,設電晶體參數 K = 12 ( C )( WL ) = 0.1 mA/V , n ox 2 V = 2 V , Q 與 Q 特性相同。下列何者錯誤? t 1 2

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R D = 10 kΩ 圖(二十四)

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Q

如圖 ( 二十四 ) 所示電路,設電晶體參數 V = −4 V , I = 8 mA 。已知 I = 2 mA , V = 6 V ,下列何者錯誤? P DSS D DS

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MOSFET 溫度穩定性較 BJT 佳,且操作速度更快 m

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Q

有關 BJT 電晶體與 MOSFET 電晶體的比較,下列敘述何者錯誤?

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Q 作為 CB 放大器, V 1 =g R o m c V x

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Q

如圖(二十三)所示電路,設電晶體互導參數為 g ,下列敘述何者正確?(假設 r =  ) m o

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150

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Q

如圖(二十二)所示二級放大器電路,試求總電壓增益 大約為何? V o V in

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低輸入電阻及大電壓增益

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Q

有關達靈頓(Darlington)電路之敘述,下列何者正確?

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2 Ω

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Q

如圖(二十一)所示電路,試求輸出阻抗 Z 的值大約為何? out

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−1 V

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Q

如圖 ( 二十 ) 所示電路,試求輸出電壓 V 的值大 約為何? o

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輸入阻抗: CC > CE > CB

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Q

有關 BJT 電晶體基本放大器三種組態的特性比較,下列敘述 圖(十九) 何者錯誤?

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7.14 V

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Q

如圖(十九)所示電路,設電晶體參數 β =  , V = 0.7 V ,試求 V = ? dc EB

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9.58 mA

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Q

如圖(十八)所示電路,假設 V = 15 V , R = 1 kΩ ,已知使用 β = 100 的電晶體 時, I = 4.77 mA ,在不改變電阻的情況下,若改使用 β = 300 的電晶體時, CC C dc 試求 I = ?(設 V = 0.7 V ) C dc C

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電流增益 I = β I 僅在主動區或飽和區時成立 BE CE C dc B

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Q

有關 NPN 電晶體的特性,下列敘述何者正確?

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100 μF 圖(十六)

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Q

如圖(十六)所示電路,假設二極體為理想,已 知電容電壓漣波峰對峰值約為 0.566 V,則電容 C 的數值為何?

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7.4 V

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Q

如圖(十五)所示電路,若二極體的切入電壓為 0.7 V,則 負載 R 的直流電壓為何? L

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I = −1 mA 5

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Q

如圖(十四)所示電路,假設二極體為理想, R = 5 kΩ , R = 2.5 kΩ ,下列敘 述何者正確? 1 2

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摻雜濃度愈高,接面空乏區愈小

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Q

有關 PN 接面二極體的特性,下列敘述何者正確?

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10000 V

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Q

設交流信號 V(t) = 50 2 + 60sin t − 60cos(t − 30°) + 80sin 3t ,試求其有效值 V = ? rms

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0 W

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Q

有一交流電路,其功率方程式為 p(t) = 1000 − 2000cos(628t + 60°)W ,則當 t = 1001 秒時的瞬間交流功率 ) 為何? 1 p( 100

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513 W

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Q

加在一電路上之電壓為 e(t) = 110sin(ωt + 30°) V ,通過之電流為 i(t) = 5sin(ωt + 60°) A ,求電源所供給 之最大瞬間電功率為多少?

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40 安培

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Q

如圖(十二)所示電路,若電路的實功率為 3.6 kW,則 I 為多少安培?

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