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電壓增益必小於 1

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Q

有關共閘極放大電路之敘述,下列何者正確?

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1.5 kΩ 圖(十五)

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Q

如圖(十五)之 PMOS 電晶體,參數 k = 0.1 mA/V ,汲極電流為 0.1 mA,電 2 壓 V 為 0.7 V,則電阻 R 值為何?

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VGS > Vt GD t

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Q

N通道增強型 FET 中,下列何者條件可使電晶體操作於飽和區?( V 為臨界電壓) ,V ≤ V t

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1 MΩ、4 MΩ、6 kΩ

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Q

如圖(十四)所示為增強型 PMOS 電晶體, I = 0.5 mA , V = 3 V , k = 0.5 mA/V ,臨界電壓 V = −1 V ,則設計電晶體操作於飽和區 D D 2 時, R 、 R 、 R 之合理值為何? t

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900、900 kΩ

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Q

如圖(十三)所示之達靈頓對放大器,已知其兩個電晶體特性相同, 其電流增益及輸入阻抗分別大約為何?

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150

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Q

若放大器的頻率響應,其曲線上的最大電壓增益為 150,則在 −3 dB 截止頻率處之電壓增益為何?

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40 dB

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Q

一放大器之輸入阻抗為 100 kΩ,負載為 10 Ω,電壓增益為 −100 ,則此放大器的功率增益為何?

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甲、丙

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Q

如圖(十二)所示之 BJT 射極隨耦器,下列敘述何者正確? 圖(十一) 甲、直流集極電流 I = 1.2 mA 乙、電流增益 A 約為 92 C 丙、電壓增益 A 約為 24 i

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50 m A/V

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Q

如圖(十一)所示之電路,熱電壓 V = 25 mV ,試問 BJT 之互導 增益 g 約為何? T

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V ≒V ×

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Q

BJT 分壓偏壓電路如圖(九)所示,若 R >> 1R+ β 時,下列何者不是電 E B 路的特點?(其中 R = R // R )

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−3.45 V

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Q

如圖(八)所示之電路, V 為 1 V, V 為 1.7 V,試求此電晶體的 V 為何? B E

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141.4 mA

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Q

如圖(六)所示之電路, N :N = 2:1 ,且假設二 極體皆為理想,試求 D 之平均電流為何? 1 2 2

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33 V

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Q

如圖(五)所示之電路,直流輸出電壓 V 為 30 V,若欲使漣波電壓 V 為直流輸出電壓的 10%,則 o(dc) r (p − p) 峰值電壓 V 約為何? 2(p)

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50 mA

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Q

如圖(三)所示之電路,圖中稽納二極體之 V = 5 V ,其特性曲線如圖(四),則二極體上的電流大小為何? ZK 圖(三) 圖(四)

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板金或衝壓成形者,其成形前之形狀以假想線表示 【

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Q

有關習用畫法的敘述,下列何者不正確?

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後半部

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Q

對稱形物體可以半視圖表示,若前視圖為全剖面或半剖面時,則俯視圖之半視圖應畫出:

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輪輻(臂)被縱剖時應畫剖面線

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Q

有關剖面習用畫法的敘述,下列何者正確?

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局部剖面分界剖去與未剖去部分之分界線為折斷線

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Q

有關剖面視圖的敘述,下列何者不正確?

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錐度符號之水平方向長度約為其高之 3 倍,尖端恆指向右方

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Q

有關尺度標註的敘述,下列何者正確?

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正垂面乃與三個主要投影面,之一平行,之二垂直

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Q

有關平面之種類及投影的敘述,下列何者不正確?

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第一或第二象限

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Q

點 P 之投影圖中,直立投影( P )位於基線(GL)之上方,則該點 P 必位於: v

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平轉 45°,前傾 35°16'

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Q

等角圖之物體與畫面關係的敘述,下列何者正確?

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○○○ 2 3 5

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Q

正多面體共有 5 種,分別為○正四面體、○正六面體、○正八面體、○正十二面體、○正二十面體,其 1 2 3 4 5 表面由正三邊形組成者為:

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虛線用於隱藏線,採用細線

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Q

有關工程圖線條與字法的敘述,下列何者正確?

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